CN119630078A 单光子雪崩二极管及其制备方法以及光电探测器 （杭州海康威视数字技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119630078A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202311176807.6

(22)申请日2023.09.12

(71)申请人杭州海康威视数字技术股份有限公司

地址310051浙江省杭州市滨江区阡陌路

555号

(72)发明人方磊

(74)专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287

专利代理师张志江

(51)Int.Cl.

H10F30/225(2025.01)

H10F77/14(2025.01)

H10F77/40(2025.01)

H10F77/30(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图1页

(54)发明名称

单光子雪崩二极管及其制备方法以及光电

探测器

(57)摘要

CN119630078A本发明公开一种单光子雪崩二极管及其制备方法以及光电探测器，单光子雪崩二极管包括器件主体和反射结构，器件主体形成相对设置的入光表面和出光表面，器件主体内的中心位置还形成有光敏区，光敏区设有自出光表面向下层叠设置的第一半导体区和第二半导体区，器件主体还包括环设在中心位置外侧的边缘区，光敏区和边缘区之间还形成有隔离区；反射结构包括覆盖在出光表面上的透光层和反射层，透光层的表面形成