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- 2026-06-01 发布于北京
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polyfet射频器件
SP202
概述
专为宽带射频应用设计的硅硅栅增强模式
VDMOS和LDMOS晶体管。
适用于无线电、蜂窝和寻呼放射频功率VDMOS晶体管8.0瓦单端
大、广播FM/AM、MRI、激光封装样式AP高效率性高增益，
驱动等应用。
低噪声符合RoHS
PolyfetTM工艺具有低反馈电容
和输出电容，从而实现高Ft晶体管，
具有高输入阻抗和高效率。
绝对最大额定值（T=25oC）
总结点到
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