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宽带射频应用硅VDMOSLDMOS晶体管技术规格与性能参数.pdfVIP

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  • 2026-06-02 发布于北京
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宽带射频应用硅VDMOSLDMOS晶体管技术规格与性能参数.pdf

    polyfet射频器件

    F1008

    概述

    专为宽带射频应用设计的硅专利金金属化

    VDMOS和LDMOS晶体管。适用硅栅增强模式

    于无线电、蜂窝和寻呼放大基射频功率VDMOS晶体管

    站、广播FM/AM、MRI、激光驱

    40瓦双子星

    动等。

    PoltTM工艺采用金金封装样式AK

    yfe

    属，大大延长了使用。低输

    出电容和高Ft增强了宽带性能。高效率，线性，

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