CN119631172A 半导体元件的制造方法 （株式会社 Hpsp）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119631172A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202380055805.3

(22)申请日2023.07.14

(30)优先权数据

10-2022-00910692022.07.22KR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.22

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2023/0101452023.07.14

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/019440KO2024.01.25

(71)申请人株式会社HPSP

地址韩国

(72)发明人赵星吉

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

专利代理师吕琳田英爱

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图9页

(54)发明名称

半导体元件的制造方法

(57)摘要

CN119631172A本发明涉及一种半导体元件的制造方法。根据一实施例的半导体元件的制造方法，可以包括缝隙填充工序，将缝隙填充(gap_fill)氧化物埋入形成在基板上的沟槽内部以形成缝隙填充氧化膜。在一实施例中，所述缝隙填充工序可以包括高压氧化(HighPressureOxi