探秘CdSe非线性光学晶体材料:制备工艺与性能解析.docx

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探秘CdSe非线性光学晶体材料:制备工艺与性能解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中,非线性光学晶体材料作为光电子技术领域的关键支撑,正扮演着日益重要的角色。自1961年Franken首次发现水晶的激光倍频现象以来,非线性光学晶体材料的研究取得了长足的进步,其在激光频率转换、光调制、光信息存储等众多领域展现出了巨大的应用潜力,成为了推动现代科技发展的重要力量。

在众多非线性光学晶体材料中,CdSe(硒化镉)晶体以其独特的物理性质和卓越的光学性能,在中、远红外波段展现出了无可替代的应用价值。CdSe晶体具有较宽的透光范围,通常在0.75-25μm之间

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