原创力文档HaiYifeng Electric Power Electronic Co., Ltd. 说明书 HHDG30X120T2 HHDG36X120S1 HHDG40X120T2 说明书.pdf
青岛海宜丰电力电子有限公司产品说明书
IGBT单管说明书
一、特性
1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。
2、集-射极饱和压降低，功耗小。
3、栅-射极截止电流小。
4、金属全密封结构，安装方便，可靠性高。
5、热性能好。
二、质量等级
1JPJTGJB33A-97
、、：
2、七专G：QZJ840611A
3、SJ20668-1998《微电路模块总规范》。
三、主要技术指标：
参集-射极
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