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N通道逻辑电平增强型场效应晶体管NDT014L特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-06-03 发布于北京
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N通道逻辑电平增强型场效应晶体管NDT014L特性与应用.pdf

    1996年8月

    N

    NDT014L

    N通道逻辑电平增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些N通道逻辑电平增强型功率场效应晶体管2.8A，60V。R=0.2@V=4。5V

    是使用National的专有技术制造的，DS(ON)GS

    R0.16@V=10V。

    高单元密度的DMOS技术。这种非常高的密度DS(ON)GS

    工艺特别设计以最小化导通状态电阻，

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