CN119815886A 一种内置结势垒肖特基结构的SiC MOSFET元胞结构及其制备方法 (张家港意发功率半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-03 发布于重庆
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CN119815886A 一种内置结势垒肖特基结构的SiC MOSFET元胞结构及其制备方法 (张家港意发功率半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815886A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411941053.3

(22)申请日2024.12.26

(71)申请人张家港意发功率半导体有限公司

地址215600江苏省苏州市张家港市经济

技术开发区国泰北路1号科技创业园

E-203室(意发功率)

(72)发明人付国振周炳

(74)专利代理机构苏州启华专利代理事务所

(普通合伙)32357

专利代理师顾军

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H

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