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CMOS集成电路制造工艺

CMOS集成电路制造工艺1（）

CMOS集成电路制造工艺

从电路设计到芯片完成离不开集成电路的

制备工艺，本章主要绍硅衬底上的CMOS集

成电路制造的工艺过程。有些CMOS集成电路

涉及到高压MOS器件例（如平板显示驱动芯片、

智能功率CMOS集成电路等），因此高低压电路

的兼容性就显得十分重要，在本章最后将重点说

明高低压兼容的CMOS工艺流程。

1.1基本的制备工艺过程

CMOS集成电路的制备工艺是一个非常复杂

而又精密的过程，它由若干单项制备工艺组合而

成。下面将分别简要绍这些单项制备工艺。

1.1.1衬底材料的制备

任何集成电路的制造都离不开衬底材料

——单晶硅。制备单晶硅有两种方法：悬浮区熔

法和直拉法，这两种方法制成的单晶硅具有不同

的性质和不同的集成电路用途。

1悬浮区熔法

悬浮区熔法是在20世纪50年代提出并很快

被应用到晶体制备技术中。在悬浮区熔法中，使

圆柱形硅棒固定于