精密电容位移传感器的三层同轴屏蔽探头结构设计与边缘效应抑制_精密仪器与机械.docxVIP

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精密电容位移传感器的三层同轴屏蔽探头结构设计与边缘效应抑制

摘要

精密电容位移传感器在超精密加工与计量领域中对探头结构的边缘电场畸变极为敏感。本文针对环形极板存在的边缘效应，设计了一种三层同轴屏蔽探头结构，并重点研究保护环宽度对电场均匀性的调控机制。通过集成中心传感极板、有源保护环与接地屏蔽层，构建同轴层叠构型，利用等电位驱动消除边缘杂散电容。基于静电学理论推导了保护环宽度与边缘电场衰减的关系，建立有限元参数化模型进行数值仿真。结果表明，当保护环宽度达到传感极板半径的1.2倍时，敏感区域内电场非均匀性可降低至0.3%以下，电容-位移线性度显著改善。该设计为高线性、低漂移的电容位移传感器探头研发提供了可靠的参考方案。

关键词：电容位移传感器；三层同轴屏蔽；保护环；边缘效应；电场均匀性

第一章绪论

1.1研究背景

超精密位移检测已成为先进制造、半导体装备和精密计量领域的核心支撑技术。在光刻机工件台、金刚石车床伺服进给以及微纳坐标测量机等场景中，纳米级甚至亚纳米级的位移测量分辨率成为决定加工精度与产品质量的关键。电容位移传感器因其无接触、高带宽、对环境不敏感等优势，被广泛用于上述场合。然而，当测量范围扩展至百微米以上时，传统平行板电容传感器的边缘电场畸变会引入显著的非线性误差，成为制约精度的突出瓶颈。

这一矛盾的根源在于，理想平行板电容模型假定极板间电场完全垂直且分