CN119650424A 一种半导体薄膜及其制备方法与应用 （苏州实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650424A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510180138.2

(22)申请日2025.02.19

(71)申请人苏州实验室

地址215125江苏省苏州市苏州工业园区

若水路388号

(72)发明人楚旭李书明邓馨谢良帅邵纤童黄增立

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

专利代理师王艳斋

(51)Int.Cl.

H01L21/306(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图2页

(54)发明名称

一种半导体薄膜及其制备方法与应用

(57)摘要

CN119650424A本发明属于半导体薄膜制备技术领域，涉及一种半导体薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将半导体晶圆与腐蚀溶液的液面接触，或者将目标剥离区域的半导体晶圆部分浸入腐蚀溶液中进行电化学腐蚀剥离，腐蚀溶液向半导体晶圆上爬升，然后将半导体晶圆浸入水中，得到所述半导体薄膜；所述半导体晶圆作为阳极，所述腐蚀溶液作为电解液。本发明所述制备方法仅需将半导体晶圆接触或者部分浸入腐蚀溶液，使腐蚀溶液利用毛细效应向晶圆上方爬升，由于半导体晶圆绝大部分区域与腐蚀溶液非直接接触，半导体薄膜在腐蚀过程不会受到溶液腐蚀与作用力的影响，从而能够在