- 2
- 0
- 约14.72万字
- 约 276页
- 2026-06-06 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119654179A
(43)申请公布日2025.03.18
(21)申请号202380058037.7
(22)申请日2023.06.21
(30)优先权数据
63/355,3242022.06.24US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.06
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/US2023/0688172023.06.21
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/250378EN2023.12.28
(71)申请人开金血管公司
地址美国宾夕法尼亚州
(72)发明人
您可能关注的文档
- CN119653853A 半导体元件及其制作方法 (联华电子股份有限公司).docx
- CN119653870A 一种自形成gap区域的TBC电池结构及其PVD法制备方法 (绵阳炘皓新能源科技有限公司).docx
- CN119653882A 优化下电极结构的ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法 (山西创芯光电科技有限公司).docx
- CN119653883A 背照式图像传感器及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119653883B 背照式图像传感器及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119653884A 图像传感器及其制造方法 (晶芯成(北京)科技有限公司).docx
- CN119653885A 芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法 (甬矽半导体(宁波)有限公司).docx
- CN119653912A 一种超晶格红外探测器芯片制作方法 (山西创芯光电科技有限公司).docx
- CN119653932A 一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法 (重庆康佳光电科技有限公司).docx
- CN119653934A 倒装led芯片及其制备方法 (江西兆驰半导体有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)