T∕CASAS 047-2025 SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法.docxVIP

  • 3
  • 0
  • 约7.89千字
  • 约 21页
  • 2026-06-08 发布于河北
  • 举报

T∕CASAS 047-2025 SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法.docx

ICS31.080.30CCSL44

团体标准

T/CASAS047—2025代替T/CASAS047—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)动态高温高湿反偏

(DH3TRB)试验方法

Dynamichigh-humidity,high-temperaturereversebiastestmethod

(DH3TRB)forsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfiledeffect

transistor(SiCMOSFET

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档