SDRAM芯片预充电与刷新操作详解.pdfVIP

预充电

由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，

就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作

就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让在每次读写操作

自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有体进行数据重写，并对行地址进行复位，同

时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2，以帮助判断数据的逻辑电平，因为S-AMP

是通过一个参考电压与线电压的比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而言，就是将

S-AMP中的数据回写，即使是没有工作过的体也会因行选通而使电容受到干扰，所以也需要

S-AMP进行读后重写。此时，电容的电量（或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（时也需

要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻辑0，

不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电