半导体器件 机械和气候试验方法 第22-2部分键合强度 引线键合剪切试验方法标准立项发展报告.docxVIP

标题：半导体器件机械和气候试验方法第22-2部分：键合强度引线键合剪切试验方法标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part22-2:Bondstrength-Wirebondsheartestmethods

摘要

半导体器件是现代电子工业的基石，其内部引线键合的可靠性直接决定了器件的性能、寿命与安全性。随着半导体技术向高集成度、高功率密度方向发展，新的键合材料（如铜线、银线）与工艺不断涌现，对键合质量的评估方法提出了更高要求。在此背景下，IEC60749-22-2:2025《半导体器件机械和气候试验方法第22-2部分：键合强度引线键合剪切试验方法》正式发布。本报告旨在全面解析该标准的立项背景、技术内容、修订要点及其行业影响。报告首先回顾了原IEC60749-22标准的局限性，指出其无法满足新型材料（尤其是铜线）和先进封装工艺（如反向键合）的测试需求。核心部分详细阐述了新版标准的关键技术内容，包括：适用范围扩展至15μm至76μm直径的引线，明确了球键合高度至少为4.0μm的测试前提，并首次系统性地将“球上缝合（StitchonBall）”