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InxAl1-xN薄膜及其异质结构的MOCVD生长特性与物理性能探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，III-V族氮化物凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了研究的焦点之一。其中，InxAl1-xN合金作为一种重要的III-V族氮化物半导体材料，近年来受到了科研人员的极大关注。

InxAl1-xN薄膜及其异质结构在半导体领域展现出了至关重要的地位。在光电器件方面，其具有广阔的直接带隙范围，从InN的约0.7eV到AlN的约6.2eV连续可调，这一特性使其在制备覆盖从紫外到可见光乃至红外波段的光电器件方面极具潜力。例