CN119683970A 一种mos靶材及其制备方法和薄膜晶体管 （深圳众诚达应用材料股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119683970A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510194523.2

(22)申请日2025.02.21

(71)申请人深圳众诚达应用材料股份有限公司

地址518128广东省深圳市宝安区新安街

道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座5层

(72)发明人周贤界徐红星卢晓鹏关泽汉黄小玲黄勇彪

(74)专利代理机构北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙)11845

专利代理师黄淑娟

(51)Int.Cl.

C04B35/01(2006.01)

C23C14/34(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

C04B35/624(2006.01)

C04B35/626(2006.01)

H10D30/67(2025.01)

H10D62/80(2025.01)

权利要求书1页说明书8页附图1页

(54)发明名称

一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管

(57)摘要

CN119683970A本申请涉及靶材制备技术领域，提供一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管，包括：将In、Ga、Sn三种离子的混合盐溶液、沉淀剂和络合剂进行共沉淀反应，经清洗浓缩后得到高纯铟镓锡氢氧化物胶体；将铟镓