CN119678668A 具有改进的击穿性能的栅极沟槽功率半导体装置及形成此装置的方法 （沃孚半导体公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119678668A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202380055182.X

(22)申请日2023.06.14

(30)优先权数据

17/847,6502022.06.23US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.21

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0252382023.06.14

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/249845EN2023.12.28

(71)申请人沃孚半导体公司地址美国

(72)发明人M·萨姆帕斯W·基姆N·伊斯拉米柳世衡

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所

有限公司11038

专利代理师秦晨

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书6页说明书21页附图26页

(54)发明名称

具有改进的击穿性能的栅极沟槽功率半导

体装置及形成此装置的方法

(57)摘要

CN119678668A一种半导体装置包括：半导体层结构，该半导体层结构包括形成在其上表面中的栅极沟槽；位于栅极沟槽中的栅极指状物；位于栅极指状物的上表面上并与栅极