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半导体物理试题及分析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

关于本征半导体的费米能级位置，下列表述最准确的是

A.本征费米能级严格位于禁带中线的位置

B.本征费米能级仅在导带有效状态密度与价带有效状态密度相等时恰好处于禁带中线

C.本征费米能级永远高于禁带中线

D.本征费米能级永远低于禁带中线

答案：B

解析：当电子和空穴的有效质量完全相等时，导带与价带的有效状态密度数值相等，本征费米能级才恰好落在禁带中线位置。A选项错误，因为绝大多数半导体的电子空穴有效质量不相等，本征费米能级会偏离禁带中线；C、D选项错误，本征费米能级的偏移方向由电子空穴有效质量的相对大小决定，并非固定高于或低于中线。

n型非简并半导体处于强电离饱和区时，多数载流子浓度随温度的变化规律是

A.随温度升高呈指数上升趋势

B.随温度升高呈线性上升趋势

C.基本不随温度发生明显变化

D.随温度升高呈指数下降趋势

答案：C

解析：强电离饱和区范围内，半导体中的施主杂质已经全部电离，同时本征激发产生的载流子浓度远低于杂质电离提供的多子浓度，因此多子浓度近似等于施主掺杂浓度，基本不受温度变化影响。A选项对应的是本征激发占主导的高温区规律，B选项不符合任何常规载流子浓度变化规律，D选项没有对应的物理场景。

硅半导体室温条件下，下列哪一种散射机制占据绝对主导地位

A.电离杂质散射

B.晶格振动散射