GBT 4937.36-2025 半导体器件试验方法学习与解读PPT课件.pptxVIP

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  • 2026-06-12 发布于福建
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GBT 4937.36-2025 半导体器件试验方法学习与解读PPT课件.pptx

GB/T4937.36-2025半导体器件试验方法学习与解读

目录

02

试验目的与原理

01

标准背景与范围

03

试验设备与环境要求

04

试验步骤与操作

05

数据测量与结果解读

06

应用与注意事项

标准背景与范围

01

标准制定背景与意义

国际接轨要求

参考IEC60749系列和JEDECJESD22标准,结合国内产业链特点制定,旨在提升国产半导体产品的国际竞争力,减少贸易技术壁垒。

行业规范化推动

通过统一试验条件(如温度循环范围、机械应力参数),避免企业因测试方法差异导致数据不可比,降低研发成本与市场风险。

技术发展需求

随着半导体器件向高频、高功率、微型化方向发展,传统试验方法已无法满足可靠性评估需求。本标准针对新型器件的失效模式(如热载流子效应、电迁移等)提出标准化测试流程,填补行业空白。

03

02

01

适用于分立器件(二极管、晶体管)和集成电路(逻辑IC、存储器、功率模块),明确排除光电器件与传感器等非标准半导体产品。

器件类型覆盖

规定试验适用于研发验证、量产质量控制、可靠性监控全周期,但强调加速老化试验结果需标注“非实际使用时长等效”。

生命周期阶段

涵盖环境试验(温度湿度偏压THB)、机械试验(振动、冲击)、耐久性试验(高温反偏HTRB)等7大类,规定每类试验的最小样本量要求(如HTRB需≥77颗)。

测试场景界定

明确制造商需提供器件规格书中

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