CN119689201A 一种SiIGBT与SiC MOSFET混合器件的过流可靠性测试电路及其方法 （湖南大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119689201A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510205769.5

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人湖南大学

地址410082湖南省长沙市岳麓区桔子洲

街道麓山南路2号

(72)发明人王俊王渤陈阅凡

(74)专利代理机构广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)44326

专利代理师刘新年

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

G01R31/327(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种SiIGBT与SiCMOSFET混合器件的过流

可靠性测试电路及其方法

(57)摘要

CN119689201A本发明公开了一种SiIGBT与SiCMOSFET混合器件的过流可靠性测试电路及其方法，属于电力系统自动化控制技术领域，过流可靠性测试电路包括高压供电电路、测试电路以及驱动模块；测试电路一端与高压供电电路连接，测试电路另一端与驱动模块连接；测试电路包括电感负载L1、续流二极管D2以及混合器件，混合器件包括SiIGBT和SiCMOSFET，SiIGBT和SiCMOSFET并联；续流二极管D2和混合器件串联，电感负载L1的两端与续流二极管D2的阴