CN119743975A 一种基于单层二硒化钨的p型场效应晶体管及其制备方法 (西安电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-06-11 发布于重庆
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CN119743975A 一种基于单层二硒化钨的p型场效应晶体管及其制备方法 (西安电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743975A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202411927799.9H10D62/10(2025.01)

(22)申请日2024.12.25

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人王东沈海越张进成马文轩

宁静马佩军郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师王萌

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/

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