模拟电子技术课件第1.4讲 半导体二极管的结构、伏安特性和主要参数（2019.12.11）.pptxVIP

主讲人：赵洪亮博士、教授

山东科技大学首批在线课程建设项目《模拟电子技术基础》

电工电子国家级实验教学示范中心（山东科技大学）

第1.4讲半导体二极管的结构、伏安特性和主要参数

参考资料：童诗白、华成英.模拟电子技术基础（第五版），p15~17，第1.2.1~1.2.3节

第1章常用半导体器件

一、引言

二、半导体二极管的结构、外形和符号

三、二极管的伏安特性

四、二极管的主要参数

五、小结

本讲主要内容

第1章常用半导体器件

第1.4讲半导体二极管的结构、伏安特性和主要参数

一、引言

第1章常用半导体器件

回顾：

PN结

第1.4讲半导体二极管的结构、伏安特性和主要参数

什么是二极管？和PN结有何关系？

二、半导体二极管的结构、外形和符号

第1章常用半导体器件

第1.4讲半导体二极管的结构、伏安特性和主要参数

二极管结构

二极管外形

符号（基本型二极管、整流二极管）

将PN结封装，引出两个电极。

三、二极管的伏安特性

第1章常用半导体器件

第1.4讲半导体二极管的结构、伏安特性和主要参数

二极管和PN结伏安特性的区别

二极管的核心是PN结，比PN结多了半导体体电阻和引线电阻。

近似分析时，依然用PN结的电流方程式来描述二极管的伏安特性。

开启电压：使二极管开始导通的临界电压。

材料

开启电压

导通电压

反向饱和电流

硅Si

0.5V

0.5~0.8V

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