CN119694983A 硅转接板的制备方法和硅转接板 （北京芯力技术创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694983A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510211481.9

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人北京芯力技术创新中心有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区永昌中路16号3号楼1层、2层

201

(72)发明人章莱刘括王阳

(74)专利代理机构北京知帆远景知识产权代理

有限公司11890

专利代理师安伟

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/522(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图9页

(54)发明名称

硅转接板的制备方法和硅转接板

(57)摘要

CN119694983A本申请公开了一种硅转接板的制备方法和硅转接板，属于半导体技术领域。该制备方法包括，提供逻辑晶圆，所述逻辑晶圆包括硅基底以及在所述硅基底上的层间介质层；其中，所述层间介质层的介电常数在预设范围内；在所述层间介质层远离所述硅基底的一侧形成掩膜层；基于所述掩膜层刻蚀通孔，并在所述掩膜层远离所述硅基底的一侧以及所述通孔内部形成保护层，将所述掩膜层上的保护层与所述通孔底部的保护层刻蚀掉，获得形成在所述通孔侧壁的第一保护层；在