模拟电子技术课件第1.2讲 PN结的形成和单向导电性（2019.12.11） .pptxVIP

主讲人：赵洪亮博士、教授山东科技大学首批在线课程建设项目《模拟电子技术基础》电工电子国家级实验教学示范中心（山东科技大学）第1.2讲PN结的形成和单向导电性参考资料：童诗白、华成英.模拟电子技术基础（第五版），p11~13，第1.1.3节第1章常用半导体器件

一、引言二、PN结的形成三、PN结的单向导电性四、总结本讲主要内容第1章常用半导体器件第1.2讲PN结的形成和单向导电性

一、引言第1章常用半导体器件【回顾】P型半导体？N型半导体？P型半导体N型半导体把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起，会发生什么？第1.2讲PN结的形成和单向导电性

二、PN结的形成第1章常用半导体器件扩散运动:P区的多子空穴向N区扩散，N区的多子电子向P区扩散。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低（空间呈负电荷）、靠近接触面N区的自由电子浓度降低（空间呈正电荷），产生内电场......当把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起时.......E第1.2讲PN结的形成和单向导电性

二、PN结的形成（续）第1章常用半导体器件漂移运动：内电场一方面抑制扩散运动的进行，另一方面使P区的少子电子从P区向N区运动、使N区的少子空穴从N区向P区运动。空间电荷区，PN结当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时，达到动态平衡，形成了一个稳定的空