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模拟集成电路版图设计与工程实践（微课版）课件 .第四章 闩锁效应.pdf

模拟集成电路版图设计与工程实践（微课版）课件 .第四章 闩锁效应.pdf

    模拟集成电路版图设计

    任务六了解闩锁效应

    •闩锁效应原理

    •闩锁效应（LATCHUP）是CMOS工艺所特有的寄生效应，闩锁效应是由NMOS的有

    源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的N-P-N-P结构寄生成的两个关联的三极

    管产生的，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。

    •栅锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，通过三极管放大电流，造成大电

    流、EOS（电过载）和器件损坏。是半导体器件失效的主要原因之一。

    闩锁效应

    •Q1为一纵向寄生的PNP

    管，PMOS的源、漏是发射极，

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