Mn、Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜：制备工艺、结构特征与性能关联探究.docxVIP

Mn、Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜：制备工艺、结构特征与性能关联探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对信息存储和处理的速度、密度以及能耗等方面提出了越来越高的要求，自旋电子学应运而生并迅速发展。自旋电子学旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，有望突破传统微电子学仅利用电子电荷属性的局限，为未来信息技术带来新的变革。稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为自旋电子学领域的关键材料，因其兼具半导体和磁性的双重特性，能够在同一材料中实现电子电荷和自旋两种自由度的有效利用，从而受到了广泛关注。

稀磁半导体的概念最