P通道增强型MOSFET
特性引脚描述
•‑20V/‑2.5A,R=108m(典型值)
@V=-4.5VR=135m(典型值)@V=-
导通电阻栅源极
2.5VDS(ON)GS
•密度单元设计
•可靠且坚固
SOT‑23的俯视图
•可无铅版本(符合RoHS
P通道增强型MOSFET
特性引脚描述
•‑20V/‑2.5A,R=108m(典型值)
@V=-4.5VR=135m(典型值)@V=-
导通电阻栅源极
2.5VDS(ON)GS
•密度单元设计
•可靠且坚固
SOT‑23的俯视图
•可无铅版本(符合RoHS
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