高纵横比触点技术应用详解.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

之五十的第一气体蚀刻剂供应到等离子体蚀刻反应器并将绝缘层暴露于所述第一气体蚀刻剂的等离子体来蚀刻所述绝缘层以产生具有至少的纵横比的开口的方法使用所述第一气体蚀刻剂可减少绝缘层中具有至少的纵横比的开口中的扭曲的发生法律状态权利要求说明书说明书（10）申请公布号

CN101410957B

（43）申请公布日2011.01.19

（21）申请号CN200780010481.2

（22）申请日2007.02.20

（71）申请人美光科技公司

地址美国爱达荷州

（72）发明人阿龙·R·威尔逊

（74）专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人王允方

（51）Int.CI中华人民共和国国家知识产权局发明专利说明书申请公布号申请公布日申请号申请日申请人美光科技公司地址美国爱达荷州发明人阿龙威尔逊专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任