In₂O₃及SiC基稀磁半导体薄膜：局域结构与性能的深度剖析.docx

In?O?及SiC基稀磁半导体薄膜：局域结构与性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对电子器件性能的要求日益提高，自旋电子学应运而生，成为凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。自旋电子学旨在利用电子的自旋属性来实现信息的存储、处理和传输，有望突破传统半导体器件的尺寸限制和能耗瓶颈，为下一代信息技术的发展提供新的思路和方法。

稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为自旋电子学的关键材料，兼具半导体的电学特性和磁性材料的磁学特性，在自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、磁随机存取存储器等自旋电子器件中具有广阔的应用前景。