硅漂移探测器原理与实际应用解析.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

极一一对应地设置在与正面环形区连接的第一接触孔中阳极置在与正面环形区连接的第一接触孔中背面电权利要求说明书说明书幅图极设置在型区的远离探测区的正面区域的表面上多个间隔的分压部设置在隔离层的远离型硅片的表面上分压部位于相邻的两个阴极之间的隔离

（10）申请公布号

CN108281506A

（43）申请公布日2018.07.13

（21）申请号CN201711489811.2

（22）申请日2017.12.29

（71）申请人中国科学院微电子研究所

地址100029北京市朝阳区北土城西路3号

（72）发明人翟琼华;殷华湘;贾云丛;李贞杰

（74）专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司