UCB高级模拟IC设计作业：PMOS共源级电路设计与噪声分析.pdfVIP

加利福尼亚大学电气工程与计算机科学系

E.阿隆作业#2EECS240

截止日期：星期二

除非另有说明，所有作业和项目均使用EECS24090nmCMOS工艺。在本次作业中，您可以

仅使型（tt）器件参数。

计

1.设一个PMOS共源级电路，驱动2pF负载，带宽为1GHz。选择足够长的L以实现输出

电压在0.35V到1V之间的开环增益至少为25，并最小化电路的功耗。确定器件宽度和偏置

电流，并使用SPICE验证增益和带宽。同时，绘制小信号增益adV/dV与输出直流电

v0oi

平的关系图。

2.在1Hz到2GHz范围内，集成一个10/0.09NMOS晶体管在共源配置下的输入参考闪烁噪声。结果

2

以伏特均表示。使用V*