2025年电子信息新材料研发指南.docx

2025年电子信息新材料研发指南

半导体材料领域需重点突破大尺寸高纯度衬底制备、低缺陷外延生长及先进封装材料体系。针对第三代半导体，4英寸SiC衬底位错密度需降至1×10?cm?2以下，6英寸衬底量产良率提升至85%以上；GaN异质外延需解决与Si、蓝宝石衬底的晶格失配问题，开发AlN缓冲层梯度生长工艺，将位错密度控制在5×10?cm?2以内。宽禁带半导体器件用绝缘栅介质材料需突破SiO?在高温下的可靠性瓶颈，探索HfO?、Al?O?高κ介质与GaN的界面钝化技术，界面态密度降至1×1011eV?1·cm?2以下。先进封装材料方面，低温共烧陶瓷（LTCC）需实现介电常数3-10可调、损耗