半导体器件物理复习重点详解.pdf

半导体器件物理_复习重点

第一章PN结

1、1PN结就是怎么形成的?

耗尽区:正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷,

几种工作模式哪种就是放大模式正向有源反向有源截止饱与双极晶体管的少子分布图示双极晶体管的电流成分图示它们就是怎样形成的正向有源时同少子分布低频共基极电流增益的公式总结分析如何提高晶体管的增益系数等效电路模型模型与模型画图与简述半导体器件物理

所以该区也称为耗尽区。

空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到

了一个扩散力。在热平衡状态下,电

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