CN119753575A 一种低电阻透明导电薄膜及其制备方法 （安徽点宇新材料科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119753575A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510275157.3

(22)申请日2025.03.10

(71)申请人安徽点宇新材料科技有限公司

地址232000安徽省淮南市山南新区新型

显示产业园18号楼101室

(72)发明人陈港陈沐

(74)专利代理机构安徽云智数知识产权代理事务所(普通合伙)34374

专利代理师潘东

(51)Int.Cl.

C23C14/08(2006.01)

C23C14/35(2006.01)

C23C14/58(2006.01)

H01B5/14(2006.01)

H01B13/00(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图1页

(54)发明名称

一种低电阻透明导电薄膜及其制备方法

(57)摘要

CN119753575A本发明公开了一种低电阻透明导电薄膜及其制备方法，涉及ITO薄膜材料技术领域，所述制备方法包括以下步骤：S1：于室温条件下通过磁控溅射法在基底表面形成ITO薄膜；S2：将所述ITO膜层进行梯度冷冻处理，后恢复至室温，得到第一ITO薄膜；S3：将所述第一ITO薄膜置于微波一超声波复合场中进行微波一超声波协同处理，得到第二ITO薄膜；S4：将所述第二ITO薄膜按