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新型非易失性存储器RRAM及其铁电神突触特性研究.pdfVIP

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  • 2026-06-20 发布于北京
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新型非易失性存储器RRAM及其铁电神突触特性研究.pdf

    一、课题背景及意义

    在和微电子领域，随着的集成度与性能遵循摩尔定律而快速提高时，基于互补金

    属氧化物（complementarymetaloxidesemiconductor，CMOS）工艺的传统技术已经

    逐渐到达其极限，计算机的“墙”问题也愈发严重，这些问题都不断着计算机领

    域的进一步发展。所以，为了解决这一问题，必须找到更切合实际的新型技术和计算使能器件，

    用于研发容量更大、处理处理速度更快的计算机。

    现如今，很多新型

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