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半导体器件题目及题解

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

PN结在热平衡状态下，空间电荷区内的主要载流子是什么？

A.自由电子和空穴浓度都很高

B.自由电子和空穴浓度都很低

C.只有自由电子

D.只有空穴

答案：B

解析：PN结在热平衡状态下，空间电荷区（又称耗尽区）内，由于内建电场的作用，多子已基本被耗尽，只剩下不能移动的电离杂质离子。因此，该区域内自由电子和空穴的浓度都非常低，远低于中性区的浓度。选项A描述的是中性区或高掺杂区的特点；选项C和D分别对应N区和P区的多子情况，不符合耗尽区的实际状况。

对于理想的肖特基势垒二极管，其电流输运机制主要是？

A.少子扩散

B.多子扩散

C.多子热电子发射

D.隧道效应

答案：C

解析：肖特基二极管是金属-半导体接触形成的器件，其电流输运的主导机制是多数载流子（对于N型半导体是电子，对于P型半导体是空穴）越过势垒的热电子发射过程。这与PN结二极管以少子扩散为主的机制有本质区别。选项A是PN结二极管的主要机制；选项B“多子扩散”不是主要机制；选项D隧道效应通常在重掺杂或反向偏压较高时才显著。

双极型晶体管（BJT）工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态是？

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：A

解析：这是B