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光电子技术研发与应用手册

第1章光电子器件基础原理与材料特性

1.1半导体能带理论与载流子输运机制

能带理论是理解固体光学性质的基石，由德国物理学家埃尔温·薛定谔在1926年提出。在晶体结构中，电子的能量状态被划分为允许电子存在的“导带”和禁止电子运动的“价带”以及两者之间的禁带（Bandgap,$E_g$）。对于半导体而言，室温下的价带Fermi能级位于导带下方，且禁带宽度通常在0.1eV至3.0eV之间，这使得电子容易从价带激发到导带，形成自由移动的载流子。载流子的产生主要源于本征激发、热激发以及光激发过程。当光子能量$h\nu$大于或等于禁带宽度$E_g$时，价带中的电子吸收光子能量跃迁至导带，同时在导带中留下一个带正电的“空穴”。这一过程称为本征激发，其概率由费米-狄拉克分布函数决定，遵循$n_i^2=n_0p_0\exp(-E_g/kT)$的关系，其中$n_i$为本征载流子浓度，$k$为玻尔兹曼常数，$T$为绝对温度。

在半导体中，电子和空穴的复合是光电器件工作的核心机制。当导带中的电子与价带中的空穴重新结合时，释放的能量通常以光子的形式辐射出来，形成发光现象；若能量以晶格振动的形式释放，则形成非辐射复合并产生热量。复合过程可以用复合率公式$R=Anp$描述，其中$A$为复合系数，$n$