扩散氧化工艺原理.pptx

扩散氧化工艺原理汇报人：2025-05-05

目?录CATALOGUE02化学作用机理01工艺基础概述03设备与系统组成04工艺参数控制05应用场景拓展06质量检测方法

工艺基础概述01

半导体扩散氧化定义热氧化反应机理工艺集成定位扩散掺杂原理在高温（800-1200℃）环境下，硅衬底与氧气/水蒸气发生化学反应生成二氧化硅层，反应方程式分为干氧氧化（Si+O?→SiO?）和湿氧氧化（Si+2H?O→SiO?+2H?）两种模式。通过高温（900-1100℃）使磷、硼等杂质原子克服硅晶格势垒，实现浓度梯度驱动的定向迁移，形成PN结或调节电阻率，典型扩散系数遵循Arrheniu