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- 2026-06-23 发布于北京
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光学和光子学传感用半导体激光器测量方法
1范围
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
4总则
4.1一般要求
除本文件规定的测量方法外,传感用半导体激光器的其他性能测量执行GB/T42403。
4.2半导体激光器的类型
4.2.1概述
半导体激光器是一种半导体器件,当电流超过半导体激光器的阈值电流时,引起电子跃迁,通过受激辐射在一定方向上发射相干光。相干光的机制分为以下两类:
1)由导带和价带之间的带间电子跃迁(体材料型)或两个量子态之间的电子跃迁(量子阱型,见4.2.5)引起的电子-空穴复合。
2)两个量子态之间的带内电子跃迁(量子级联型,见4.2.5)。
单模边缘发射激光器,如分布式反馈(DFB)激光器,由于其高功率和单模特性,常用于传感设备。表面发射激光器也广泛用于传感系统,因为它们易于处理。从多角度为这些激光器命名,在4.2.2到4.2.5中对这些激光器进行了简要分类。半导体激光器的光学和电气特性很复杂,宜根据应用进行精确描述。
4.2.2基本结构
按半导体激光器基本结构分,有:
a)边缘发射(GB/T31359
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