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CN119767780A 一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-06-23 发布于山西
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CN119767780A 一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119767780A

    (43)申请公布日2025.04.04

    (21)申请号202510262514.2

    (22)申请日2025.03.06

    (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

    地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

    合保税区内西淝河路88号

    (72)发明人张伟运广涛赫文振罗钦贤苏圣哲

    (74)专利代理机构北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙)11804

    专利代理师陈姗姗

    (51)Int.Cl.

    H10D84/03(2025.01)

    H10D62/10(2025

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