AI芯片制造工厂.pptxVIP

2026年汇报人：PPTYOURLOGOAI芯片制造工厂

-Blackwell芯片的制造里程碑Blackwell芯片的技术特点台积电亚利桑那工厂的战略布局未来芯片路线图Blackwell芯片的挑战与解决方案AI芯片制造的全球趋势与竞争政策支持与行业协作Blackwell芯片的生态构建Blackwell芯片的可持续性发展未来展望

1Blackwell芯片的制造里程碑

Blackwell芯片的制造里程碑01首片美国本土制造英伟达与台积电在亚利桑那工厂首次生产Blackwell芯片晶圆，标志着美国本土高端AI芯片制造的突破03行业意义该项目被视为美国制造业回归的标志性事件，总投资达1650亿美元，涵盖2纳米至4纳米先进制程02工艺技术采用台积电4NP定制工艺，单个GPU集成2080亿个晶体管，通过NV-HBI接口实现10TB/s互连带宽

2Blackwell芯片的技术特点

Blackwell芯片的技术特点由两个子芯片组成，通过高带宽互联逻辑整合为统一GPU，突破单片硅片面积限制架构设计01专为超大规模AI训练与推理设计，后续将推出BlackwellUltra版本以应对更高性能需求性能定位022025年进入全面量产阶段，2026年计划推出下一代Rubin架构平台量产进展03

3台积电亚利桑那工厂的战略布局

台积电亚利桑那工厂的战略布局生产2纳米、3纳米、4纳米及A16芯片，服务于AI