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CN119698039A 一种高压SiC MOSFET元胞结构及其制备方法 （德兴市意发功率半导体有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-06-24 发布于重庆
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CN119698039A 一种高压SiC MOSFET元胞结构及其制备方法 （德兴市意发功率半导体有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119698039A

    (43)申请公布日2025.03.25

    (21)申请号202411867534.4

    (22)申请日2024.12.18

    (71)申请人德兴市意发功率半导体有限公司

    地址334200江西省上饶市德兴市高新技

    术产业园

    (72)发明人赵承杰周炳

    (74)专利代理机构苏州启华专利代理事务所

    (普通合伙)32357

    专利代理师顾军

    (51)Int.Cl.

    H10D30/66(2025.01)

    H10D62/10(2025.01)

    H10D30/01(2025.01)

    权利要求书2页

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