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室温工作固态量子比特（如基于碳化硅、二维材料缺陷）的材料探索、相干性能提升与集成潜力评估

摘要

本报告聚焦于可在室温条件下工作的固态量子比特体系，特别是基于宽禁带半导体（碳化硅）与二维材料中缺陷色心的前沿探索，进行系统性竞争分析。核心发现表明，该领域正从基础材料筛选迈向相干性能工程与器件集成验证的关键转折期。碳化硅中的硅空位与双空位缺陷凭借成熟的材料平台和优异的自旋特性，在相干时间与光子接口方面展现出领先优势。二维材料（如六方氮化硼）中的缺陷则以其原子级薄度、高集成密度和应变可调性开辟了差异化路径。

报告通过“背景扫描→格局研判→对手剖析→策略拆解→优劣势对比→趋势预判”的递