华东师范大学《固态器件物理学(下)》2022-2023学年第一学期期末试卷(1).pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约6.02千字
  • 约 8页
  • 2026-06-25 发布于广东
  • 举报

华东师范大学《固态器件物理学(下)》2022-2023学年第一学期期末试卷(1).pdf

华东师范大学《固态器件物理学(下)》

2022-2023学年第一学期期末考试试卷

姓名院(系)专业班级学号

题号一二三四五六总分

得分

批卷人

一、判断题(每题1分,共10分)

1.在半导体激光器中,只要提高注入电流,输出光功率就会持续线性增加,因为

注入电流直接决定了粒子数反转程度,从而线性影响光功率,无需考虑阈值电

流、增益饱和等因素,电流与光功率是简单的正比关系。()

2.对于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),栅极氧化层越厚,器

件的跨导越大,因为较厚的氧化层能增强电场对沟道的控制,使载流子迁移率

提高,进而增大跨导,而不会考虑到电容减小等负面效应,这种说法是完全正

确的。()

3.太阳能电池的转换效率只与材料的禁带宽度有关,禁带宽度越合适,效率越高

,因为光生载流子的产生和收集只取决于禁带宽

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档