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- 2026-06-26 发布于广东
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GT038P06M
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheGT038P06Musesadvancedtrenchtechnologyto
provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin
awidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
lVDS-60V
lI(atV-10V)-200A
DGSSchematicdiagram
lRDS(ON)(atVG
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