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P沟道PowerTrench MOSFET特性与应用概述.pdfVIP

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  • 2026-06-26 发布于北京
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P沟道PowerTrench MOSFET特性与应用概述.pdf

    2014年1月

    FDMC86261P

    ®

    P‑通道PowerTrenchMOSFET‑150V,‑

    9A,160m

    特性概述

    ◼最大额定值=160为在V=‑10V，I=‑2.4A这款P沟道MOSFET采用Fairchild的先进PowerTrench{v1}技术制造。

    DS(on)GSD

    这种度工艺特别针对最小化导通电阻和优化开关性能进行了调

    ◼最大r=185matV=‑6V，I=‑2.2A

    DS(on)GSD整。

    ◼低导通电阻中电压P沟道硅技术，优化以降低Qg◼该产品适

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