CN119789517A 半导体结构的制造方法 （南亚科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789517A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202410094582.8

(22)申请日2024.01.23

(30)优先权数据

18/377,7722023.10.07US

(71)申请人南亚科技股份有限公司

地址中国台湾新北市泰山区南林路98号

(72)发明人林立涵

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师康艳青张铮铮

(51)Int.Cl.

H10D84/85(2025.01)

H01L21/762(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图11页

(54)发明名称

半导体结构的制造方法

(57)摘要

CN119789517A一种半导体结构的制造方法包含以下步骤。形成位元线结构于基板上方。形成第一间隔层于位元线结构的第一侧壁上。形成第二间隔层于第一间隔层的第二侧壁上。形成第三间隔层于第二间隔层的第三侧壁上。对第二间隔层执行氧化工艺，以在第二间隔层中形成氧化部分以及剩余部分，其中氧化部分位于剩余部分与第三间隔层之间。形成第四间隔层于第三间隔层的第四侧壁上。此半导体结构可以在不增加间隔层结构整体厚度的情况下，保持各间隔层厚度的均匀性，并

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