CN119789513A 一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法 （深圳市冠禹半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789513A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510296505.5

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人深圳市冠禹半导体有限公司

地址518100广东省深圳市宝安区航城街

道三围社区泰华梧桐工业园雨水（2A）栋3层

(72)发明人李伟高苗苗段卫宁梁为住

(74)专利代理机构深圳维启专利代理有限公司44827

专利代理师林鼎佑

(51)Int.Cl.

H10D84/82(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D84/05(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D64/23(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

权利要求书2页说明书15页附图13页

(54)发明名称

一种双输入GaNHEMT器件及其制造方法

(57)摘要

涉及半导体器件技术领域，本发明公开一种双输入GaNHEMT器件及制造方法。包括在衬底上依次外延生长的反向器件区层、共用漏极层和正向器件区层，其中正向器件区层上设有包含表面源极与表面栅极的外输入结构，反向器件区层包含偏向衬底的内输入结构，即内藏源极与内藏栅极，并通过开设导通孔实现内外输入信号的有效传输。本发明