CN119789414A 半导体结构及其制备方法 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789414A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311292765.2

(22)申请日2023.10.08

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人覃维都吕浩昌田超李玉科

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师黄恕

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书11页附图11页

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法

(57)摘要

CN119789414A本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底；呈阵列排布的多个有源柱，位于衬底内，各有源柱沿第一方向、第二方向间隔排布；其中，沿第一方向间隔排布的相邻有源柱相互交错，沿第二方向间隔排布的相邻有源柱之间呈直线排布，第一方向与第二方向相交。有源柱采用阵列排布的方式能够提高器件的空

CN119789414A

CN119789414A权利要求书1/3页

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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：